Numărul de produs al producătorului:
BSP149 E6906
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSP149 E6906-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventar:
13063902
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSP149 E6906 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
660mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 400µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Depletion Mode
Disiparea puterii (max)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT223-4
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSP149 E6906-ND
SP000055414
BSP149E6906
BSP149E6906T
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSP149H6327XTSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
25184
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSP149H6327XTSA1-DG
PREȚ UNIC
0.48
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSZ0502NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
BUZ73A H3046
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
IPAW60R180P7SXKSA1
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
